文献
J-GLOBAL ID:200902180989400533
整理番号:02A0597343
InP-GaAs低温ウエハボンディング後,InGaAs量子井戸の光学的特性
Optical Characterization of InGaAs Quantum Wells after InP-GaAs Low-Temperature Wafer Bonding.
著者 (2件):
ONISHI Y
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KOYAMA F
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
41
号:
6B
ページ:
L669-L671
発行年:
2002年06月15日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)