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J-GLOBAL ID:200902181297935077   整理番号:98A0198314

Si(001)面の初期の層毎の酸化の速度論

Kinetics of Initial Layer-by-Layer Oxidation of Si(001) Surfaces.
著者 (7件):
WATANABE H
(Joint Res. Center for Atom Technol., Angstrom Technol. Partnership(JRCAT-ATP), Ibaraki, JPN)
KATO K
(Joint Res. Center for Atom Technol., Angstrom Technol. Partnership(JRCAT-ATP), Ibaraki, JPN)
UDA T
(Joint Res. Center for Atom Technol., Angstrom Technol. Partnership(JRCAT-ATP), Ibaraki, JPN)
FUJITA K
(Joint Res. Center for Atom Technol., Angstrom Technol. Partnership(JRCAT-ATP), Ibaraki, JPN)
ICHIKAWA M
(Joint Res. Center for Atom Technol., Angstrom Technol. Partnership(JRCAT-ATP), Ibaraki, JPN)
KAWAMURA T
(Yamanashi Univ., Yamanashi, JPN)
TERAKURA K
(Joint Res. Center for Atom Technol., National Inst. Advanced Interdisciplinary Res.(JRCAT-NAIR), Ibaraki, JPN)

資料名:
Physical Review Letters  (Physical Review Letters)

巻: 80  号:ページ: 345-348  発行年: 1998年01月12日 
JST資料番号: H0070A  ISSN: 0031-9007  CODEN: PRLTAO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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