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著者 (5件)：
資料名：
巻： 67 号： 3 ページ： 410-412 発行年： 1995年07月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902181577183720
整理番号：95A0756445
AlNバッファ層を用いたSiC上のGaNエピタクシーの微細構造
Microstructure of GaN epitaxy on SiC using AlN buffer layers.
PONCE F A
(Xerox Palo Alto Res. Center, California)
,
KRUSOR B S
(Xerox Palo Alto Res. Center, California)
,
MAJOR J S JR
(SDL, Inc., California)
,
PLANO W E
(SDL, Inc., California)
,
WELCH D F
(SDL, Inc., California)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 67 号： 3 ページ： 410-412 発行年： 1995年07月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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