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著者 (5件)：
資料名：
巻： 81 号： 12 ページ： 8035-8039 発行年： 1997年06月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902181696335920
整理番号：97A0669607
電子サイクロトロン共鳴SiH4/H2プラズマを用いた低温多結晶シリコン形成における基板バイス効果
Substrate bias effects on low temperature polycrystalline silicon formation using electron cyclotron resonance SiH4/H2 plasma.
NOZAWA R
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
TAKEDA H
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
ITO M
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
HORI M
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
GOTO T
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 81 号： 12 ページ： 8035-8039 発行年： 1997年06月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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