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著者 (4件)：
資料名：
巻： 144 号： 3/4 ページ： 133-140 発行年： 1994年12月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902182085833742
整理番号：95A0139295
GaN/サファイア基板上のウルツ鉱型GaNとAlxGa1-xNの選択的成長
Selective growth of wurtzite GaN and AlxGa1-xN on GaN/sapphire substrates by metalorganic vapor phase epitaxy.
KATO Y
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
KITAMURA S
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
HIRAMATSU K
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SAWAKI N
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 144 号： 3/4 ページ： 133-140 発行年： 1994年12月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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