文献
J-GLOBAL ID:200902182644193104
整理番号:00A0001745
化学蒸着法で作成したSiCナノワイヤの電界放出特性
Field-emission characteristics of SiC nanowires prepared by chemical-vapor deposition.
著者 (6件):
WONG K W
(City Univ. Hong Kong, HKG)
,
ZHOU X T
(City Univ. Hong Kong, HKG)
,
AU F C K
(City Univ. Hong Kong, HKG)
,
LAI H L
(City Univ. Hong Kong, HKG)
,
LEE C S
(City Univ. Hong Kong, HKG)
,
LEE S T
(City Univ. Hong Kong, HKG)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
75
号:
19
ページ:
2918-2920
発行年:
1999年11月08日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)