文献
J-GLOBAL ID:200902182681435487
整理番号:01A0162855
Si上に直接堆積したゲート絶縁体用ZrO2の電気及び信頼特性
Electrical and reliability characteristics of ZrO2 deposited directly on Si for gate dielectric application.
著者 (6件):
QI W-J
(Univ. Texas at Austin, Texas)
,
NIEH R
(Univ. Texas at Austin, Texas)
,
LEE B H
(Univ. Texas at Austin, Texas)
,
KANG L
(Univ. Texas at Austin, Texas)
,
JEON Y
(Univ. Texas at Austin, Texas)
,
LEE J C
(Univ. Texas at Austin, Texas)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
77
号:
20
ページ:
3269-3271
発行年:
2000年11月13日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)