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著者 (5件)：
資料名：
巻： 29 号： 5 ページ： 476-486 発行年： 2000年05月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902182732230567
整理番号：00A0550043
GaAsを基材とする1.3μm InGaAs量子ドットレーザ 現状報告
GaAs-Based 1.3μm InGaAs Quantum Dot Lasers: A Status Report.
MAXIMOV M V
(A.F. Ioffe Physical-Technical Inst., St. Petersburg, RUS)
,
LEDENTSOV N N
(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
,
USTINOV V M
(A.F. Ioffe Physical-Technical Inst., St. Petersburg, RUS)
,
ALFEROV ZH I
(A.F. Ioffe Physical-Technical Inst., St. Petersburg, RUS)
,
BIMBERG D
(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 29 号： 5 ページ： 476-486 発行年： 2000年05月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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