文献
J-GLOBAL ID:200902182796619271
整理番号:00A0828591
SiO2母体に埋込んだシリコンナノドットを組み合わせた室温動作単一電子狭チャネルメモリ
Room Temperature Single-Electron Narrow-Channel Memory with Silicon Nanodots Embedded in SiO2 Matrix.
著者 (4件):
YUN F
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
HINDS B J
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
HATATANI S
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
ODA S
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
39
号:
8A
ページ:
L792-L795
発行年:
2000年08月01日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)