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著者 (3件)：
資料名：
巻： 22 号： 12 ページ： 571-573 発行年： 2001年12月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902182812190701
整理番号：02A0199342
化学的に改質したソースとドレイン電極を用いて線形領域特性を改良したペンタセンTFT
Pentacene TFT With Improved Linear Region Characteristics Using Chemically Modified Source and Drain Electrodes.
GUNDLACH D J
(Pennsylvania State Univ., PA, USA)
,
JIA L
(Pennsylvania State Univ., PA, USA)
,
JACKSON T N
(Pennsylvania State Univ., PA, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 22 号： 12 ページ： 571-573 発行年： 2001年12月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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