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著者 (3件)：
資料名：
巻： 14 号： 3 ページ： 2354-2356 発行年： 1996年05月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902182866126111
整理番号：96A0711869
窒素源としてアンモニアを用いたガスソース分子線エピタクシーで成長させた高質のGaNとAlN
High-quality GaN and AIN grown by gas-source molecular beam epitaxy using ammonia as the nitrogen source.
YANG Z
(Columbia Univ., New York)
,
LI L K
(Columbia Univ., New York)
,
WANG W I
(Columbia Univ., New York)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 14 号： 3 ページ： 2354-2356 発行年： 1996年05月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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