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資料名：
巻： 47 号： 11 ページ： 2214-2220 発行年： 2000年11月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902183028442172
整理番号：01A0192151
炭化けい素(SiC)エピタキシャルチャネルMOSFETの特性評価
Characterization of Silicon Carbide(SiC) Epitaxial Channel MOSFETs.
WAGNER W E III
(Lucent Technol., PA, USA)
,
WHITE M H
(Lehigh Univ., PA, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 47 号： 11 ページ： 2214-2220 発行年： 2000年11月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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