文献
J-GLOBAL ID:200902183096963954
整理番号:01A0559213
二段階蒸着によるエピタキシヤルBaTiO3膜コンデンサにおける強誘電体ヒステリシス曲線の改良
Nonvolatile Memories. Improvement of Ferroelectric Hysteresis Curves in Epitaxial BaTiO3 Film Capacitors by 2-Step Deposition.
著者 (4件):
YANASE N
(Toshiba Corp., Kawasaki-shi, JPN)
,
ABE K
(Toshiba Corp., Kawasaki-shi, JPN)
,
FUKUSHIMA N
(Toshiba Corp., Kawasaki-shi, JPN)
,
KAWAKUBO T
(Toshiba Corp., Kawasaki-shi, JPN)
資料名:
IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
(IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
E84-C
号:
6
ページ:
796-801
発行年:
2001年06月01日
JST資料番号:
L1370A
ISSN:
0916-8524
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)