文献
J-GLOBAL ID:200902183285756870
整理番号:99A0616552
放電加工による単結晶シリコンインゴットの高能率精密中ぐり
High efficiency fine boring of monocrystalline silicon ingot by electrical discharge machining.
著者 (6件):
UNO Y
(Okayama Univ., Okayama, JPN)
,
OKADA A
(Okayama Univ., Okayama, JPN)
,
OKAMOTO Y
(Okayama Univ., Okayama, JPN)
,
YAMAZAKI K
(Univ. California at Davis, CA, USA)
,
RISBUD S H
(Univ. California at Davis, CA, USA)
,
YAMADA Y
(KASEN USA Corp., NC, USA)
資料名:
Precision Engineering
(Precision Engineering)
巻:
23
号:
2
ページ:
126-133
発行年:
1999年04月
JST資料番号:
A0734B
ISSN:
0141-6359
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)