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著者 (7件)：
資料名：
巻： 229 ページ： 63-68 発行年： 2001年07月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902183590120072
整理番号：01A0701746
オフ角R面サファイア基板上でのMOCVDによるAlNエピタクシー成長
AlN epitaxial growth on off-angle R-plane sapphire substrates by MOCVD.
SHIBATA T
(NGK Insulators, Ltd., Nagoya, JPN)
,
ASAI K
(NGK Insulators, Ltd., Nagoya, JPN)
,
NAKAMURA Y
(NGK Insulators, Ltd., Nagoya, JPN)
,
TANAKA M
(NGK Insulators, Ltd., Nagoya, JPN)
,
KAIGAWA K
(NGK Insulators, Ltd., Nagoya, JPN)
,
SHIBATA J
(NGK Insulators, Ltd., Nagoya, JPN)
,
SAKAI H
(NGK Insulators, Ltd., Nagoya, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 229 ページ： 63-68 発行年： 2001年07月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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