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資料名：
巻： 90 号： 5 ページ： 2057-2121 発行年： 2001年09月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902183617757442
整理番号：01A0912519
シリコンマイクロエレクトロニクス用の超薄(<4nm)SiO<sub>2</sub>およびSi-O-Nゲート誘電体層 プロセシング,構造,物理的および電気的限界
Ultrathin(<4nm) SiO<sub>2</sub> and Si-O-N gate dielectric layers for silicon microelectronics: Understanding the processing, structure, and physical and electrical limits.
GREEN M L
(Agere Systems, New Jersey)
,
GUSEV E P
(IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York)
,
DEGRAEVE R
(IMEC, Leuven, BEL)
,
GARFUNKEL E L
(Rutgers Univ., New Jersey)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 90 号： 5 ページ： 2057-2121 発行年： 2001年09月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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