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著者 (9件)：
資料名：
巻： 73 号： 13 ページ： 1880-1882 発行年： 1998年09月28日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902183770815516
整理番号：98A0947975
圧電効果によるIII-V窒化物のSchottky障壁の調節
Schottky barrier engineering in III-V nitrides via the piezoelectric effect.
YU E T
(Univ. California at San Diego, California)
,
DANG X Z
(Univ. California at San Diego, California)
,
YU L S
(Univ. California at San Diego, California)
,
QIAO D
(Univ. California at San Diego, California)
,
ASBECK P M
(Univ. California at San Diego, California)
,
LAU S S
(Univ. California at San Diego, California)
,
SULLIVAN G J
(Rockwell International Sci. Center, California)
,
BOUTROS K S
(Epitronics/ATMI, Arizona)
,
REDWING J M
(Epitronics/ATMI, Arizona)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 73 号： 13 ページ： 1880-1882 発行年： 1998年09月28日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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