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著者 (9件)：
資料名：
巻： 1995 ページ： 327-330 発行年： 1995年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902183833061851
整理番号：97A0015436
デュアルゲートCMOS・ULSI用超薄窒化酸化膜への窒素プロファイル工学の影響
The impact of nitrogen profile engineering on ultra-thin nitrided oxide films for dual-gate CMOS ULSI.
HASEGAWA E
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
KAWATA M
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
ANDO K
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
MAKABE M
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
KITAKATA M
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
ISHITANI A
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
MANCHANDA L
(AT&T Bell Lab., NJ)
,
KRISCH K S
(AT&T Bell Lab., NJ)
,
FELDMAN L C
(AT&T Bell Lab., NJ)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1995 ページ： 327-330 発行年： 1995年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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