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文献
J-GLOBAL ID:200902183833061851   整理番号:97A0015436

デュアルゲートCMOS・ULSI用超薄窒化酸化膜への窒素プロファイル工学の影響

The impact of nitrogen profile engineering on ultra-thin nitrided oxide films for dual-gate CMOS ULSI.
著者 (9件):
HASEGAWA E
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
KAWATA M
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
ANDO K
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
MAKABE M
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
KITAKATA M
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
ISHITANI A
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
MANCHANDA L
(AT&T Bell Lab., NJ)
KRISCH K S
(AT&T Bell Lab., NJ)
FELDMAN L C
(AT&T Bell Lab., NJ)

資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)

巻: 1995  ページ: 327-330  発行年: 1995年 
JST資料番号: C0829B  ISSN: 0163-1918  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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