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文献
J-GLOBAL ID:200902184038164835   整理番号:98A0109782

純オゾンビームの発生とシリコン極薄酸化膜作製への応用

Generation of High-purity Ozone Beam and Its Application to the Formation of Ultra-thin Silicon Dioxide Film.
著者 (4件):
一村信吾
(電総研)
野中秀彦
(電総研)
黒河明
(電総研)
中村健
(電総研)

資料名:
表面科学  (JSSSJ)

巻: 18  号: 12  ページ: 766-774  発行年: 1997年12月 
JST資料番号: F0940B  ISSN: 0388-5321  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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