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著者 (6件)：
資料名：
巻： 39 号： 4B ページ： 2186-2188 発行年： 2000年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902184414350475
整理番号：00A0544421
イオンビーム照射とウェットエッチングによるSiナノピラミッドアレイ(NPA)製作の新プロセス
New Process for Si Nanopyramid Array (NPA) Fabrication by Ion-Beam Irradiation and Wet Etching.
KOH M
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
SAWARA S
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
GOTO T
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
ANDO Y
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
SHINADA T
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
OHDOMARI I
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39 号： 4B ページ： 2186-2188 発行年： 2000年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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