文献
J-GLOBAL ID:200902184820799521
整理番号:01A0435815
濃密気体状アルゴン及びクリプトン中の電子-イオン再結合速度定数 電場強度とN2あるいはCH4添加の影響
Electron-ion recombination rate constants in dense gaseous argon and krypton: Effects of electric field strength and the addition of N2 or CH4.
著者 (9件):
TAKEDA K
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
KATO R
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
HAYASHIDA M
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
ODAKA T
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
SHINSAKA K
(Kanazawa Inst. Technol., Ishikawa, JPN)
,
KAMETA K
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
ODAGIRI T
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
KOUCHI N
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
HATANO Y
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名:
Journal of Chemical Physics
(Journal of Chemical Physics)
巻:
114
号:
8
ページ:
3554-3561
発行年:
2001年02月22日
JST資料番号:
C0275A
ISSN:
0021-9606
CODEN:
JCPSA6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)