文献
J-GLOBAL ID:200902184849325103
整理番号:99A0272850
照射によるSIMOX上のMOSFETsの劣化
Degradation of MOSFETs on SIMOX by irradiation.
著者 (8件):
HAKATA T
(Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN)
,
OHYAMA H
(Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN)
,
SIMOEN E
(IMEC, Leuven, BEL)
,
CLAEYS C
(IMEC, Leuven, BEL)
,
MIYAHARA K
(Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN)
,
KAWAMURA K
(Nippon Steel Co., Yamaguchi, JPN)
,
OGITA Y
(Kanagawa Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
,
TAKAMI Y
(Rikkyo Univ., Kanagawa, JPN)
資料名:
Journal of Radioanalytical and Nuclear Chemistry
(Journal of Radioanalytical and Nuclear Chemistry)
巻:
239
号:
2
ページ:
357-360
発行年:
1999年02月
JST資料番号:
B0949B
ISSN:
0236-5731
CODEN:
JRNCDM
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)