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著者 (4件)：
資料名：
巻： 71 号： 2 ページ： 240-242 発行年： 1997年07月14日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902185025533617
整理番号：97A0743377
GaNバッファ層を利用したサファイア基板上へのウルツ鉱型GaNのガス源分子線エピタクシー
Gas source molecular beam epitaxy of wurtzite GaN on sapphire substrates using GaN buffer layers.
GRANDJEAN N
(Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
,
LEROUX M
(Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
,
LAUEGT M
(Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
,
MASSIES J
(Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 71 号： 2 ページ： 240-242 発行年： 1997年07月14日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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