文献
J-GLOBAL ID:200902185674724545
整理番号:02A0599355
熱処理したNi(膜)/4H-SiC(基板)界面の軟X線放射研究
Soft X-ray emission study of thermally treated Ni(film)/4H-SiC(substrate) interface.
著者 (7件):
OHI A
(Okayama Univ., Okayama, JPN)
,
LABIS J
(Okayama Univ., Okayama, JPN)
,
MORIKAWA Y
(Okayama Univ., Okayama, JPN)
,
FUJIKI T
(Okayama Univ., Okayama, JPN)
,
HIRAI M
(Okayama Univ., Okayama, JPN)
,
KUSAKA M
(Okayama Univ., Okayama, JPN)
,
IWAMI M
(Okayama Univ., Okayama, JPN)
資料名:
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻:
190
号:
1/4
ページ:
366-370
発行年:
2002年05月08日
JST資料番号:
B0707B
ISSN:
0169-4332
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)