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著者 (5件)：
資料名：
巻： 67 号： 16 ページ： 2329-2331 発行年： 1995年10月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902186014808769
整理番号：95A0954341
InN,InGaN及びInAlNにおけるドライエッチング損傷
Dry etch damage in InN, InGaN, and InAlN.
PEARTON S J
(Univ. Florida, Florida)
,
LEE J W
(Univ. Florida, Florida)
,
MACKENZIE J D
(Univ. Florida, Florida)
,
ABERNATHY C R
(Univ. Florida, Florida)
,
SHUL R J
(Sandia National Lab., New Mexico)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 67 号： 16 ページ： 2329-2331 発行年： 1995年10月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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