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資料名：
巻： 75 号： 18 ページ： 3352-3355 発行年： 1995年10月30日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902186779882010
整理番号：95A0981057
新しいバンドオフセット決定法としての低エネルギー収量分光法 c-Si(100)/-aSi:Hヘテロ接合への応用
Low-Energy Yield Spectroscopy as a Novel Technique for Determining Band Offsets: Application to the c-Si(100)/a-Si:H Heterostructure.
SEBASTIANI M
,
DI GASPARE L
,
CAPELLINI G
,
BITTENCOURT C
,
EVANGELISTI F
資料名：
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻： 75 号： 18 ページ： 3352-3355 発行年： 1995年10月30日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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