文献
J-GLOBAL ID:200902187513069248
整理番号:00A0853026
金属-半導体-金属フォトダイオードのSchottky接触パラメータの評価
Evaluation of Schottky contact parameters in metal-semiconductor-metal photodiode structures.
著者 (3件):
AVERINE S
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
CHAN Y C
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
LAM Y L
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
77
号:
2
ページ:
274-276
発行年:
2000年07月10日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)