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著者 (9件)：
資料名：
巻： 221 ページ： 316-326 発行年： 2000年12月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902187584130096
整理番号：01A0271097
ファセット制御エピタクシー横方向被覆成長(FACELO)を用いた低欠陥密度GaNの作製と特性評価
Fabrication and characterization of low defect density GaN using facet-controlled epitaxial lateral overgrowth(FACELO).
HIRAMATSU K
(Mie Univ., Tsu, JPN)
,
NISHIYAMA K
(Mie Univ., Tsu, JPN)
,
ONISHI M
(Mie Univ., Tsu, JPN)
,
MIZUTANI H
(Mie Univ., Tsu, JPN)
,
NARUKAWA M
(Mie Univ., Tsu, JPN)
,
MOTOGAITO A
(Mie Univ., Tsu, JPN)
,
MIYAKE H
(Mie Univ., Tsu, JPN)
,
IYECHIKA Y
(Sumitomo Chemical Co., Ltd., Tsukuba, JPN)
,
MAEDA T
(Sumitomo Chemical Co., Ltd., Tsukuba, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 221 ページ： 316-326 発行年： 2000年12月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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