文献
J-GLOBAL ID:200902187920184388
整理番号:02A0920346
Bi2SiO5を添加した強誘電体薄膜におよぼす高圧の酸素中での焼なましの影響
Effect of High-Pressure Oxygen Annealing on Bi2SiO5-Added Ferroelectric Thin Films.
著者 (4件):
KIJIMA T
(Res. and Dev. Future Electron Devices, JPN)
,
KAWASHIMA Y
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
IDEMOTO Y
(Sci. Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
,
ISHIWARA H
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
41
号:
10B
ページ:
L1164-L1166
発行年:
2002年10月15日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)