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著者 (7件)：
資料名：
巻： 91 号： 3 ページ： 1568-1571 発行年： 2002年02月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902188132512567
整理番号：02A0243221
SiCの金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおけるチャネル移動度と界面状態密度との関係
Relationship between channel mobility and interface state density in SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistor.
HARADA S
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
KOSUGI R
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SENZAKI J
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
CHO W-J
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
FUKUDA K
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
ARAI K
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SUZUKI S
(R&D Assoc. Future Electron Devices, Ibaraki, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 91 号： 3 ページ： 1568-1571 発行年： 2002年02月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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