文献
J-GLOBAL ID:200902188182034011
整理番号:97A0800777
InGaAs-GaAsP歪補償型量子井戸を持つ高性能1.06μm帯選択性酸化垂直共振器形面発光レーザ
High-Performance 1.06-μm Selectively Oxidized Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers with InGaAs-GaAsP Strain-Compensated Quantum Wells.
著者 (4件):
HOU H Q
(Sandia National Lab., NM, USA)
,
CHOQUETTE K D
(Sandia National Lab., NM, USA)
,
GEIB K M
(Sandia National Lab., NM, USA)
,
HAMMONS B E
(Sandia National Lab., NM, USA)
資料名:
IEEE Photonics Technology Letters
(IEEE Photonics Technology Letters)
巻:
9
号:
8
ページ:
1057-1059
発行年:
1997年08月
JST資料番号:
T0721A
ISSN:
1041-1135
CODEN:
IPTLEL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)