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著者 (7件)：
資料名：
巻： 181 号： 3 ページ： 241-253 発行年： 1997年11月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902188719472428
整理番号：97A1021129
高品質のSiC化学蒸着に使うその場基板調製
In situ substrate preparation for high-quality SiC chemical vapour deposition.
HALLIN C
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
OWMAN F
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
MARTENSSON P
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
ELLISON A
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
KONSTANTINOV A
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
KORDINA O
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
JANZ<span style=text-decoration:overline>E ́</span>N E
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 181 号： 3 ページ： 241-253 発行年： 1997年11月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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