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著者 (7件)：
資料名：
巻： 79 号： 21 ページ： 3398-3340 発行年： 2001年11月19日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902189003827000
整理番号：02A0038034
二段階歪緩和処理を用いたSi(001)面上SiGe層の貫通転位密度の低減
Reduction of threading dislocation density in SiGe layers on Si(001) using a two-step strain-relaxation procedure.
SAKAI A
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SUGIMOTO K
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
YAMAMOTO T
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
OKADA M
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
IKEDA H
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
YASUDA Y
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
ZAIMA S
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 79 号： 21 ページ： 3398-3340 発行年： 2001年11月19日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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