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資料名：
巻： 40 号： 7 ページ： 4466-4469 発行年： 2001年07月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902189287921460
整理番号：01A0772376
位相変調エキシマレーザアニーリングを利用したシリコンの位置制御巨大粒成長のための新しい試料構造
A New Sample Structure for Position-Controlled Giant-Grain Growth of Silicon using Phase-Modulated Excimer-Laser Annealing.
YOSHIMOTO S
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
OH C-H
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
MATSUMURA M
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40 号： 7 ページ： 4466-4469 発行年： 2001年07月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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