文献
J-GLOBAL ID:200902189850383151
整理番号:97A0831011
メタンとトリ-n-ブチルホスフィンを利用してガス源分子線エピタクシー成長したn型高伝導性ダイヤモンド膜
n-type high-conductive epitaxial diamond film prepared by gas source molecular beam epitaxy with methane and tri-n-butylphosphine.
著者 (5件):
NISHIMORI T
(Mitsubishi Heavy Ind., Ltd., Yokohama, JPN)
,
NAKANO K
(Mitsubishi Heavy Ind., Ltd., Yokohama, JPN)
,
SAKAMOTO H
(Mitsubishi Heavy Ind., Ltd., Yokohama, JPN)
,
TAKAKUWA Y
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KONO S
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
71
号:
7
ページ:
945-947
発行年:
1997年08月18日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)