文献
J-GLOBAL ID:200902190334836253
整理番号:99A0935985
原子層成長法によって堆積させた高抵抗ZnOバッファ層を有するCu(InGa)Se2薄膜太陽電池
Cu(InGa)Se2 Thin-film Solar Cells with High Resistivity ZnO Buffer Layers Deposited by Atomic Layer Deposition.
著者 (4件):
CHAISITSAK S
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
SUGIYAMA T
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
YAMADA A
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
KONAGAI M
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
38
号:
9A
ページ:
4989-4992
発行年:
1999年09月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)