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著者 (5件)：
資料名：
巻： 70 号： 26 ページ： 3549-3551 発行年： 1997年06月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902190486854265
整理番号：97A0698259
SiC上のAlNの電気的特性に及ぼす成長条件の影響
Influence of growth conditions on electrical characteristics of AlN on SiC.
ZETTERLING C-M
(Royal Inst. Technol., Kista, SWE)
,
OESTLING M
(Royal Inst. Technol., Kista, SWE)
,
NORDELL N
(Industrial Microelectronics Center, Kista, SWE)
,
SCHOEN O
(AIXTRON Semiconductor Technol. GmbH, Aachen, DEU)
,
DESCHLER M
(AIXTRON Semiconductor Technol. GmbH, Aachen, DEU)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 70 号： 26 ページ： 3549-3551 発行年： 1997年06月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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