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資料名：
巻： 79 号： 6 ページ： 3253-3260 発行年： 1996年03月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902190919394795
整理番号：96A0321091
シリコンにおける転位の陰極線ルミネセンスによる観察
Cathodoluminescence study on dislocations in silicon.
SEKIGUCHI T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SUMINO K
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 79 号： 6 ページ： 3253-3260 発行年： 1996年03月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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