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著者 (2件)：
資料名：
巻： 35 号： 12B ページ： 6632-6636 発行年： 1996年12月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902191023059420
整理番号：97A0262657
シリコンの選択エッチングを利用したミクロエミッタアレイの製作における新しい自己整合プロセス
A New Self-Aligned Process for Fabrication of Microemitter Arrays Using Selective Etching of Silicon.
ASANO T
(Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
,
YASUDA J
(Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 35 号： 12B ページ： 6632-6636 発行年： 1996年12月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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