文献
J-GLOBAL ID:200902191026447200
整理番号:01A0686429
弱い局在化領域にあるSi:Sbに関するデルタドープ層とバルク結晶の磁気コンダクタンスの比較
Comparison of magnetoconductance of the δ-doped layer and bulk crystal of Si:Sb in the weak localization regime.
著者 (7件):
FUJIMOTO A
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KOBORI H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
OHYAMA T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
ISHIDA S
(Sci. Univ. Tokyo in Yamaguchi, Yamaguchi, JPN)
,
SATOH K
(Technol. Res. Inst. Osaka Prefecture, Osaka, JPN)
,
KUSAKA T
(Technol. Res. Inst. Osaka Prefecture, Osaka, JPN)
,
KAKEHI Y
(Technol. Res. Inst. Osaka Prefecture, Osaka, JPN)
資料名:
Physica B. Condensed Matter
(Physica B. Condensed Matter)
巻:
302/303
ページ:
7-11
発行年:
2001年08月
JST資料番号:
H0676B
ISSN:
0921-4526
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)