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著者 (4件)：
資料名：
巻： 38 号： 6A ページ： 3482-3486 発行年： 1999年06月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902191325210682
整理番号：99A0609566
H2プラズマ処理によるkの小さいメチルシルセスキオキサンの酸素プラズマ耐性の増強
Enhancing the Oxygen Plasma Resistance of Low-k Methylsilsesquioxane by H2 Plasma Traeatment.
LIU P-T
(National Chiao Tung Univ., Hsin Chu, TWN)
,
CHANG T-C
(National Nano Device Lab., Hsin Chu, TWN)
,
MOR Y-S
(National Chiao Tung Univ., Hsin Chu, TWN)
,
SZE S M
(National Chiao Tung Univ., Hsin Chu, TWN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 38 号： 6A ページ： 3482-3486 発行年： 1999年06月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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