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著者 (5件)：
資料名：
巻： 230 号： 3/4 ページ： 372-376 発行年： 2001年09月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902191749242690
整理番号：01A0760375
水素化物気相エピタクシーによるGaNのエピタキシャル成長に及ぼす水素及び窒素残留効果
Hydrogen and nitrogen ambient effects on epitaxial growth of GaN by hydride vapour phase epitaxy.
AUJOL E
(LASMEA, CNRS, Aubiere, FRA)
,
TRASSOUDAINE A
(LASMEA, CNRS, Aubiere, FRA)
,
SIOZADE L
(LASMEA, CNRS, Aubiere, FRA)
,
PIMPINELLI A
(LASMEA, CNRS, Aubiere, FRA)
,
CADORET R
(LASMEA, CNRS, Aubiere, FRA)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 230 号： 3/4 ページ： 372-376 発行年： 2001年09月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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