文献
J-GLOBAL ID:200902192176255259
整理番号:01A0486692
偏光解析法によるSi分子ビームエピタキシャル成長の監視
Monitoring of Si Molecular-Beam Epitaxial Growth by an Ellipsometric Method.
著者 (6件):
YOSHIOKA Y
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
IKUTA T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
TAJI T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
MIZOBATA K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SHIMURA T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
UMENO M
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
40
号:
1
ページ:
371-375
発行年:
2001年01月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)