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資料名：
巻： 35 号： 8B ページ： L1013-L1015 発行年： 1996年08月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902192439600770
整理番号：96A0807916
サファイア基板上の良質なAlNとAlN/GaN/AlNヘテロ構造の成長
Growth of High-Quality AlN and AlN/GaN/AlN Heterostructure on Sapphire Substrate.
OHBA Y
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
HATANO A
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 35 号： 8B ページ： L1013-L1015 発行年： 1996年08月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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