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著者 (9件)：
資料名：
巻： 23 号： 7 ページ： 395-397 発行年： 2002年07月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902192558916425
整理番号：02A0631707
高速,高感度シリコン横型トレンチ光検出器
A High-Speed, High-Sensitivity Silicon Lateral Trench Photodetector.
YANG M
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
,
RIM K
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
,
ROGERS D L
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
,
SCHAUB J D
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
,
WELSER J J
(IBM Microelectronics, NY, USA)
,
KUCHTA D M
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
,
BOYD D C
(IBM Microelectronics, NY, USA)
,
RODIER F
(Altis Semiconductor, Essonnes, FRA)
,
RABIDOUX P A
(IBM Microelectronics, VT, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 23 号： 7 ページ： 395-397 発行年： 2002年07月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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