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資料名：
巻： 79 号： 10 ページ： 1468-1470 発行年： 2001年09月03日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902192604926040
整理番号：01A0904106
GaN中でのGe活性化に対するN/Geの同時打込みの効果
Effect of N/Ge co-implantation on the Ge activation in GaN.
NAKANO Y
(Toyota Central Res. and Dev. Lab., Inc., Aich, JPN)
,
KACHI T
(Toyota Central Res. and Dev. Lab., Inc., Aich, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 79 号： 10 ページ： 1468-1470 発行年： 2001年09月03日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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