文献
J-GLOBAL ID:200902192647623598
整理番号:99A0610152
ガスソースMBEによって非晶質シリカ基板上に成長したGaNからの非常に強い光ルミネセンス放出
Very strong photoluminescence emission from GaN grown on amporphous silica substrate by gas source MBE.
著者 (8件):
ASAHI H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
IWATA K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
TAMPO H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KUROIWA R
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
HIROKI M
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
ASAMI K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
NAKAMURA S
(Nichia Chemical Ind. Ltd., Tokushima, JPN)
,
GONDA S
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
201/202
ページ:
371-375
発行年:
1999年05月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)