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著者 (3件)：
資料名：
巻： 48 号： 4 ページ： 737-742 発行年： 2001年04月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902193121443133
整理番号：01A0628652
シリコンオンウエハ試験構造におけるパッド寄生効果の影響を正確に説明する,改良型三段階掘出し法
Improved Three-Step De-Embedding Method to Accurately Account for the Influence of Pad Parasitics in Silicon On-Wafer RF Test-Structures.
VANDAMME E P
(Katholieke Univ. Leuven, Heverlee, BEL)
,
SCHREURS D M M-P
(Katholieke Univ. Leuven, Heverlee, BEL)
,
VAN DINTHER C
(Philips Semiconductors, Nijmegen, NLD)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 48 号： 4 ページ： 737-742 発行年： 2001年04月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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