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著者 (3件)：
資料名：
巻： 45 号： 4 ページ： 842-848 発行年： 1998年04月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902193363740345
整理番号：98A0426442
10nmまでのチャネル長のSchottky障壁MOSFETの二次元数値シミュレーション
Two-Dimensional Numerical Simulation of Schottky Barrier MOSFET with Channel Length to 10nm.
HUANG C-K
(Univ. Maryland, MD, USA)
,
ZHANG W E
(Univ. Maryland, MD, USA)
,
YANG C H
(Univ. Maryland, MD, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 45 号： 4 ページ： 842-848 発行年： 1998年04月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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