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著者 (5件)：
資料名：
巻： 49 号： 1/4 ページ： 269-275 発行年： 1997年12月
JST資料番号： D0513C ISSN： 0927-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902193649950991
整理番号：98A0041495
無Cdの蒸発バッファ層を使用したCu(InGa)Se2薄膜太陽電池の性能改良
Improved performance of Cu(InGa)Se2 thin-film solar cells using evaporated Cd-free buffer layers.
OHTAKE Y
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
OKAMOTO T
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
YAMADA A
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
KONAGAI M
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
SAITO K
(Teikyo Univ. Sci. and Technol., Yamanashi, JPN)
資料名：
Solar Energy Materials and Solar Cells
(Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 49 号： 1/4 ページ： 269-275 発行年： 1997年12月
JST資料番号： D0513C ISSN： 0927-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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